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J-GLOBAL ID：200903009853257756
薄膜状誘電体及びその製造法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
諸石 光▲ひろ▼ (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991200299
Publication number (International publication number)：1993047213
Application date： Aug. 09, 1991
Publication date： Feb. 26, 1993
Summary：
【要約】【目的】誘電損失が小さく、比誘電率の温度係数の絶対値が小さい薄膜状誘電体及びその製造法を提供する。【構成】本発明は、一般式xTiO2 ・yBaO・zMgO(ここでx+y+z=1でxは0.78≦x≦0.98、y:z=2〜4:1〜3)で示される組成を有し、平均膜厚が0.1〜10μmで比誘電率の温度係数の絶対値が420ppm/°C以下、かつ、誘電損失が0.5%以下である薄膜状誘電体、及び該薄膜状誘電体の製造法において、添加剤と有機溶媒と有機溶媒に可溶なチタニウム化合物、バリウム化合物及びマグネシウム化合物から成る薄膜形成用の溶液を用いることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
一般式xTiO2 ・yBaO・zMgO(ここでx+y+z=1でxは0.78≦x≦0.98、y:z=2〜4:1〜3)で示される組成を有し、平均膜厚が0.1〜10μmで比誘電率の温度係数の絶対値が430ppm/°C以下、かつ、誘電損失が0.5%以下であることを特徴とする薄膜状誘電体
IPC (6)：
H01B 3/12 304
, C01G 23/00
, H01B 3/00
, H01B 3/12 333
, H01G 4/06 102
, H01G 4/12 349
