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J-GLOBAL ID：200903009854859717

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 山本 悌二
Applicant, Patent owner： 株式会社村田製作所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994328109
Publication number (International publication number)：1996186129
Application date： Dec. 28, 1994
Publication date： Jul. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】 複雑な工程及び複雑な構造を必要とせず、安価で、かつ容易にショットキー電極の耐圧を向上させ、ショットキー電極のリーク電流を低減することができる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 化合物半導体基板11上に形成されたn能動層12と、n+ 能動層13と、ソース電極14と、ドレイン電極15と、n能動層12とショットキー接合をなすショットキー電極18とを有する半導体装置において、能動層12のショットキー電極18が形成される領域及びその近傍に、イオン輻射を施して高抵抗層12aを形成した後、高抵抗層12a上にショットキー電極18を設ける。

Claim (excerpt)：

化合物半導体基板表面に能動層を形成し、該能動層とショットキー接合をなすショットキー電極を有する半導体装置において、前記能動層のショットキー電極が形成される領域及びその近傍に、イオン輻射による高抵抗層が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/265

FI (4)：

H01L 29/80 Q ,  H01L 21/265 J ,  H01L 21/265 C ,  H01L 29/80 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平3-030434
  
• 特開昭59-147465
  
• 特開昭59-165460
  
• 特開昭60-034073