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J-GLOBAL ID：200903009867639180

窒化ガリウム系化合物半導体のp型化方法

Inventor： 山田 孝夫 ,  妹尾 雅之 ,  中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993085491
Publication number (International publication number)：1994275867
Application date： Mar. 19, 1993
Publication date： Sep. 30, 1994
Summary：

【要約】【目的】 p型ドーパントをドープした窒化ガリウム系化合物半導体を、より低抵抗なp型とすると共に、膜厚によらず抵抗値がウエハー全体に均一にすることにより、p-n接合を実現できる窒化ガリウム系化合物半導体のp型化方法を提供する。【構成】 p型ドーパントがドープされた窒化ガリウム系化合物半導体をエッチングして、その表面に凹凸を形成する工程と、凹凸を形成した後、その窒化ガリウム系化合物半導体を400°C以上の温度でアニーリングする工程とを具備する。

Claim (excerpt)：

p型ドーパントがドープされた窒化ガリウム系化合物半導体をエッチングして、その表面に凹凸を形成する工程と、凹凸を形成した後、その窒化ガリウム系化合物半導体を400°C以上の温度でアニーリングする工程とを具備することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体のp型化方法。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/324 ,  H01S 3/18