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J-GLOBAL ID：200903009872446675

部分酸化デキストリン及びその製造方法

Inventor： 渡辺 東 ,  土山 幸夫
Applicant, Patent owner： メルシヤン株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991263359
Publication number (International publication number)：1993017502
Application date： Jul. 08, 1991
Publication date： Jan. 26, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 デキストリンを構成する単位グルコースにおける6位のヒドロキシメチル基の一部が、選択的にカルボキシル基に酸化された部分酸化デキストリンおよびその製造方法を提供する。【構成】 デキストリンの水溶液に酸化白金炭素触媒等の貴金属含有触媒を加え、さらに酸素または酸素含有ガスを吹き込むことにより、単位グルコース(I)における6位のヒドロキシメチル基の1〜60%が、選択的にカルボキシル基に酸化された部分(II)酸化デキストリンを製造する。

Claim (excerpt)：

一般式【化1】で表される構造単位(I)、及び一般式【化2】式中、Rは、水素原子またはアルカリ金属、アルカリ土類金属の塩であることを示す、で表される構造単位(II)からなり、構造単位(II)を1〜60モル%含有する部分酸化デキストリン。

IPC (4)：

C08B 33/08 ,  B01J 23/42 ,  B01J 23/44 ,  C07B 61/00 300