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J-GLOBAL ID：200903009879637239

磁気抵抗効果素子と磁気抵抗効果型ヘッドおよびハードディスク装置

Inventor： 川分 康博 ,  榊間 博 ,  杉田 康成 ,  里見 三男
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000187972
Publication number (International publication number)：2002009368
Application date： Jun. 22, 2000
Publication date： Jan. 11, 2002
Summary：

【要約】【課題】固定層の磁化を安定化させる磁化回転抑制層において、低コストでかつ大きなMR比と固定層の反転磁界を両立させることができる磁気抵抗効果素子と磁気抵抗効果型ヘッドおよびハードディスク装置を提供する。【解決手段】外部磁界により容易に磁化回転する磁性層(自由層)6と、非磁性層を介して前記自由層と分離されて設けられた外部磁界により容易には磁化回転しない磁性層(固定層)4と、前記固定層の磁化回転を抑制するために設けられた磁化回転抑制層3を含む磁気抵抗効果素子100Aにおいて、磁化回転抑制層3を(Ni1-xMx)1-yMny (ただし、MはRu,Rh,Pd,Ag,Re,Os,Ir,Pt及びAuから選ばれる少なくとも一種の元素、0.4≦y≦0.6、0.01≦x≦0.5)で構成する。

Claim (excerpt)：

外部磁界により容易に磁化回転する磁性層(自由層)と、非磁性層を介して前記自由層と分離されて設けられた外部磁界により容易には磁化回転しない磁性層(固定層)と、前記固定層の磁化回転を抑制するために設けられた磁化回転抑制層を含む磁気抵抗効果素子において、前記磁化回転抑制層が、(Ni1-xMx)1-yMny (ただし、MはRu,Rh,Pd,Ag,Re,Os,Ir,Pt及びAuから選ばれる少なくとも一種の元素、0.4≦y≦0.6、0.01≦x≦0.5)から構成されていることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (4)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/14

FI (4)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/14 ,  G01R 33/06 R

F-Term (22)：

2G017AC01 ,  2G017AD55 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  5D034AA02 ,  5D034AA03 ,  5D034BA05 ,  5D034BA12 ,  5D034BA18 ,  5D034BB03 ,  5D034BB09 ,  5D034CA08 ,  5D034DA07 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA09 ,  5E049AA10 ,  5E049BA12 ,  5E049CB02 ,  5E049DB02 ,  5E049DB04 ,  5E049GC01