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J-GLOBAL ID：200903009891762499

化合物半導体の表面処理方法

Inventor： 吉川 明彦 ,  小林 正和 ,  山口 賢剛 ,  長沢 泰之 ,  山越 英男 ,  水井 順一
Applicant, Patent owner： 吉川 明彦 ,  小林 正和 ,  三菱重工業株式会社
Agent (1)： 光石 俊郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996233942
Publication number (International publication number)：1998079364
Application date： Sep. 04, 1996
Publication date： Mar. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】 原子状水素照射処理により、低温で表面の酸化膜除去等の清浄化を図るとともに、更に同一工程において基板表面を変化させ高温で表面の形状制御を実現することにより、製造工程及び設備の簡略化を図り、しかも、結晶の高品質化を実現することを目的とする。【解決手段】 原子状水素及び原子状重水素のうち、少なくとも一方を含む雰囲気に化合物半導体表面を曝す化合物半導体の表面処理方法において、前記半導体の処理温度を低温と高温の二段階に変化させることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

原子状水素及び原子状重水素のうち、少なくとも一方を含む雰囲気に化合物半導体表面を曝す化合物半導体の表面処理方法において、前記半導体の処理温度を低温と高温の二段階に変化させることを特徴とする化合物半導体の表面処理方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 半導体表面の清浄化方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-244799   Applicant：光技術研究開発株式会社
• 特開平2-032541
  

Cited by examiner (2)

• 半導体表面の清浄化方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-244799   Applicant：光技術研究開発株式会社
• 特開平2-032541