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J-GLOBAL ID：200903009892156762
X線露光用マスク及びそれを用いた半導体素子の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高梨 幸雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995266292
Publication number (International publication number)：1996330222
Application date： Sep. 20, 1995
Publication date： Dec. 13, 1996
Summary：
【要約】【課題】 内部応力によるマスクの歪みが少ない高精度の露光転写が可能なX線露光用マスク及びそれを用いた半導体素子の製造方法を得ること。【解決手段】 X線吸収体を支持する支持膜、該支持膜をその周囲で支持する支持枠そして該支持枠を補強保持するマスクフレームとを有したX線露光用マスクにおいて、該マスクフレームの一部に位置合わせ用マークを設けたこと。
Claim (excerpt)：
X線吸収体を支持する支持膜、該支持膜をその周囲で支持する支持枠そして該支持枠を補強保持するマスクフレームとを有したX線露光用マスクにおいて、該マスクフレームの一部に位置合わせ用マークを設けたことを特徴とするX線露光用マスク。
IPC (2)：
FI (3)：
H01L 21/30 531 M
, G03F 1/16 A
, H01L 21/30 531 J
