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J-GLOBAL ID：200903009895842896

有機半導体層の形成方法

Inventor： ダサラオ ケイ マーティ ,  ベング エス オング ,  ジェームズ エム ダフ
Applicant, Patent owner： ゼロックス・コーポレーション
Agent (2)： 吉田 研二 ,  石田 純
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003162435
Publication number (International publication number)：2004015062
Application date： Jun. 06, 2003
Publication date： Jan. 15, 2004
Summary：

【課題】半導体層で用いることが可能な有機半導体材料を生成して、電子デバイスを作成する。【解決手段】基板上に有機半導体層を形成する方法であって、溶剤にバインダ樹脂を溶かした連続相と、有機半導体材料を分散させた分散相と、を含む分散液を生成し、その分散液を基板16に塗布して電子デバイスの半導体層12を形成する。その半導体層12は、前記有機半導体材料と前記バインダ樹脂とを備えていることを特徴とする。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

(a)溶剤と該溶剤に少なくとも実質的に溶解したバインダ樹脂とを備える連続相と、(b)有機半導体材料を備える分散相と、を含む分散液を生成するステップと、 前記分散液を用いて電子デバイスの半導体層を形成する溶液塗布ステップであって、前記半導体層が、前記有機半導体材料と前記バインダ樹脂とを備える、溶液塗布ステップと、 を含むこと特徴とする電子デバイスの作製方法。

IPC (2)：

H01L29/786 ,  H01L51/00

FI (2)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/28

F-Term (23)：

5F110AA30 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF23 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03