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J-GLOBAL ID：200903009908909677

半導体材料の製造法

Inventor： 猪飼 慶三 ,  南 昌樹 ,  松野 光雄
Applicant, Patent owner： 日本石油株式会社
Agent (1)： 岡澤 英世 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994159363
Publication number (International publication number)：1995061807
Application date： Jun. 17, 1994
Publication date： Mar. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】 従来の方法に比べて、より短時間でより安価に半導体材料を製造する方法の提供。【構成】 特定なハロゲノシラン化合物のウルツ型縮合物を熱分解する。

Claim (excerpt)：

【化1】(式中、R1 及びR2 は同一又は互いに異なり、炭素数3〜12の2級〜3級アルキル基、シクロアルキル基、炭素数8〜12の1級〜3級アラルキル基又はXから選ばれ、Xは塩素、臭素又はヨウ素である。)【化2】(式中、R6 〜R10はそれぞれ同一又は互いに異なり、炭素数3〜12の2級〜3級アルキル基、シクロアルキル基、炭素数8〜12の1級〜3級アラルキル基又はXから選ばれ、Xは塩素,臭素又はヨウ素である。但し、R6 〜R10のいずれか一つは必ずXである。)【化3】(式中、R11〜R17はそれぞれ同一又は互いに異なり、炭素数3〜12の2級〜3級アルキル基、シクロアルキル基、炭素数8〜12の1級〜3級アラルキル基、下記の化4で示されるシリル基又はXから選ばれ、Xは塩素、臭素又はヨウ素である。但し、R11〜R17のいずれか一つは必ずXである。)【化4】R3 R4 R5 Si-(式中、R3 〜R5 はそれぞれ同一又は互いに異なり、炭素数1〜8のアルキル基又は炭素数6〜10のアリ-ル基から選ばれる。)上記の化1で示されるハロゲノモノシラン、化2で示されるハロゲノジシラン及び化3で示されるハロゲノシランからなる群から選ばれる1種もしくは2種以上のハロゲノシランを、アルカリ金属及び/又はアルカリ土類金属の存在下に反応させて縮合物を生成させ、得られた縮合物を熱分解することからなる半導体材料の製造法。

IPC (3)：

C01B 33/00 ,  C08G 77/60 NUM ,  H01L 21/208