半導体材料の製造法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岡澤英世 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994159363
Publication number (International publication number)：1995061807
Application date： Jun. 17, 1994
Publication date： Mar. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】従来の方法に比べて、より短時間でより安価に半導体材料を製造する方法の提供。【構成】特定なハロゲノシラン化合物のウルツ型縮合物を熱分解する。

Claim (excerpt)：

【化1】(式中、R1 及びR2 は同一又は互いに異なり、炭素数3〜12の2級〜3級アルキル基、シクロアルキル基、炭素数8〜12の1級〜3級アラルキル基又はXから選ばれ、Xは塩素、臭素又はヨウ素である。)【化2】(式中、R6 〜R10はそれぞれ同一又は互いに異なり、炭素数3〜12の2級〜3級アルキル基、シクロアルキル基、炭素数8〜12の1級〜3級アラルキル基又はXから選ばれ、Xは塩素,臭素又はヨウ素である。但し、R6 〜R10のいずれか一つは必ずXである。)【化3】(式中、R11〜R17はそれぞれ同一又は互いに異なり、炭素数3〜12の2級〜3級アルキル基、シクロアルキル基、炭素数8〜12の1級〜3級アラルキル基、下記の化4で示されるシリル基又はXから選ばれ、Xは塩素、臭素又はヨウ素である。但し、R11〜R17のいずれか一つは必ずXである。)【化4】R3 R4 R5 Si-(式中、R3 〜R5 はそれぞれ同一又は互いに異なり、炭素数1〜8のアルキル基又は炭素数6〜10のアリ-ル基から選ばれる。)上記の化1で示されるハロゲノモノシラン、化2で示されるハロゲノジシラン及び化3で示されるハロゲノシランからなる群から選ばれる1種もしくは2種以上のハロゲノシランを、アルカリ金属及び/又はアルカリ土類金属の存在下に反応させて縮合物を生成させ、得られた縮合物を熱分解することからなる半導体材料の製造法。

IPC (3)：

C01B 33/00 , C08G 77/60 NUM , H01L 21/208

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

特開昭63-225511
有機シリコン高分子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-203608 Applicant：日本電信電話株式会社
有機シリコン高分子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-203527 Applicant：日本電信電話株式会社

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