半導体装置及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：薄田利幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992180671
Publication number (International publication number)：1994029314
Application date： Jul. 08, 1992
Publication date： Feb. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】MOSトランジスタ及びMOSキャパシタ等のゲート酸化膜の容量低下、絶縁膜厚増加及び絶縁性の劣化なしに、ゲート絶縁膜とシリコン基板の界面特性を向上させた半導体装置を提供すること。【構成】シリコン基板101と、このシリコン基板上に形成されたゲート酸化膜103と、この上に形成されたゲート電極106とを有し、窒素原子が、このシリコン基板101及びゲート電極106の少なくとも一方並びにゲート酸化膜103に導入された半導体装置。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、該半導体基板上に形成された絶縁膜と、該絶縁膜上に形成された電極とを有する半導体装置において、上記半導体基板及び上記電極の少なくとも一方並びに上記絶縁膜は、窒素原子が導入された領域を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/336 , H01L 29/784 , H01L 29/62

FI (2)：

H01L 29/78 301 P , H01L 29/78 301 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (14)

特開平2-237024
特開平3-198337
特開平3-163876

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