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J-GLOBAL ID:200903009915699114
半導体レ-ザ装置の製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999114659
Publication number (International publication number):2000307191
Application date: Apr. 22, 1999
Publication date: Nov. 02, 2000
Summary:
【要約】【課題】 2つの半導体レーザ素子から出射される各レーザ光の発光位置を同一高さにし、かつ信頼性の高い半導体レーザ装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 同一GaAs基板2上にGaInPエッチングストップ層5を形成後、第1活性層7を含む第1半導体層6、8、9、10、11を形成して第1半導体レーザ素子3を構成し、更に第1半導体層6、8、9、10、11Aの一方側を絶縁層パターン24で覆い、次に、選択エッチング液を用いて、絶縁層パターン24で覆われた以外の第1半導体層6、8、9、10、11の他方側をGaInPエッチングストップ層5に達するまでエッチングし、更に、GaInPエッチングストップ層5上に第1半導体層と分離して第2活性層16を含む第2半導体層15、17、18、19、11Bを形成して第2半導体レーザ素子4を構成する。
Claim (excerpt):
同一GaAs基板上に分離溝を挟み並列形成してなる第1半導体レーザ素子及び第2半導体レーザ素子を有する半導体レーザ装置の製造方法であって、前記GaAs基板上にGaInPエッチングストップ層を形成後、第1活性層を含む第1半導体層を形成して前記第1半導体レーザ素子を構成し、更に前記第1半導体層の一方側を絶縁層パターンで覆い、次に、選択エッチング液を用いて、前記絶縁層パターンで覆われた以外の前記第1半導体層の他方側を前記GaInPエッチングストップ層に達するまでエッチングし、更に、前記GaInPエッチングストップ層上に前記第1半導体層と分離して第2活性層を含む第2半導体層を形成して前記第2半導体レーザ素子を構成することを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
IPC (3):
H01S 5/22 610
, H01L 21/306
, H01L 21/308
FI (3):
H01S 3/18 669
, H01L 21/308 C
, H01L 21/306 B
F-Term (17):
5F043AA14
, 5F043AA40
, 5F043BB07
, 5F043DD30
, 5F043FF01
, 5F043GG04
, 5F043GG05
, 5F043GG10
, 5F073AA13
, 5F073AA53
, 5F073AB06
, 5F073BA06
, 5F073CA05
, 5F073CA14
, 5F073DA23
, 5F073EA28
, 5F073FA24
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