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J-GLOBAL ID：200903009924308446

レジストパターン形成方法

Inventor： 村山 洋子
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 小林 英一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993155003
Publication number (International publication number)：1995135140
Application date： Jun. 25, 1993
Publication date： May. 23, 1995
Summary：

【要約】【目的】 レジストパターン成形方法を提供する。【構成】 基板1上に下層レジスト2を塗布後ハードベークし、上層レジスト4を塗布し、反転マスクを用いて実際のパターンの反転パターンを形成し、SOG膜8を塗布した後、該SOG膜8を上層レジスト4が露出するまでエッチバックした後、全面露光、現像を行って上層レジスト4を除去することにより、微細パターンを簡易でしかも精度よく転写することを可能にする。

Claim (excerpt)：

多層レジスト法を用いたレジストプロセスにおいて、平坦化層とされる下層レジストを塗布後、ハードベークする工程と、上層レジストを塗布し、実際のパターンの反転パターンを形成する工程と、SOGを塗布する工程と、該SOGを前記上層レジストが露出するまでエッチバックする工程と、前記上層レジストを全面露光し、現像により前記上層レジストを除去する工程と、を順次行うことを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/26 511