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J-GLOBAL ID：200903009924906254

カプセル化された低抵抗ゲート構造体及びその製造方法

Inventor： マーク アール.ビソケイ ,  ダーク エヌ.アンダーソン
Applicant, Patent owner： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
Agent (1)： 浅村 皓 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998368143
Publication number (International publication number)：1999243151
Application date： Dec. 24, 1998
Publication date： Sep. 07, 1999
Summary：

【要約】【課題】 改良されたゲート構造体を提供する。【解決手段】 カプセル化されたゲート構造体(40)は、ポリシリコン層(52)、ポリシリコン層(52)の上にあり、相対する側壁を有する障壁層(44)、障壁層(44)の上にあり、相対する側壁を有する金属層(42)、金属層(42)の上にあり、相対する側壁を有する頂部誘電体層(50)、障壁層(44)及び金属層(42)の相対する側壁の各々の上に伸び、それらを覆い、ポリシリコン層(52)の上の障壁層(44)及び金属層(42)をカプセル化する垂直に配向した誘電体層(46)を有する。カプセル化された金属及び障壁層は、これにより後の処理工程の酸化及び他の同様な有害な効果により影響を受けることはない。

Claim (excerpt)：

半導体装置中に含まれるゲート構造体において、ポリシリコン層、前記ポリシリコン層の上にあり、相対する側壁を有する障壁層、前記障壁層の上にあり、相対する側壁を有する金属層、前記金属層の上にあり、相対する側壁を有する頂部誘電体層、及び前記障壁層及び前記金属層の相対する側壁の各々の上に伸び、それらを覆い、前記ポリシリコン層上の前記障壁層及び金属層をカプセル化する垂直に配向した誘電体層、からなる、ゲート構造体。

IPC (7)：

H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 29/43 ,  H01L 29/78

FI (5)：

H01L 27/08 102 C ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 27/10 681 A ,  H01L 29/62 G ,  H01L 29/78 301 G