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J-GLOBAL ID：200903009940790800

1次元チャネルトランジスタとその製造方法

Inventor： 佐和田 明美 ,  宇佐川 利幸
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992233344
Publication number (International publication number)：1994084962
Application date： Sep. 01, 1992
Publication date： Mar. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】化合物半導体を用いた一次元電子系を多重に形成することにより高周波での低ノイズ特性を大幅に改善した素子構造を製造するための基板の形成方法を提供する。【構成】鋸歯状の断面構造を有する能動領域11を特徴としその鋸歯のラインの側面に沿って形成された一次元電子系をトランジスタのチャネルにする。【効果】電荷担体の経過通路のゆらぎを一次元的に抑えると共にチャネルキャリア密度を著しく向上することで高周波でのノイズを大幅に低減する。

Claim (excerpt)：

第一の半導体と前記第一の半導体より電子親和力が小さい第二の半導体を有し前記第二の半導体内には少なくとも不純物をドープされた半導体層を有し、前記第一の半導体及び前記第二の半導体がヘテロ界面を形成する際の共通界面の曲率が周期的に変調していることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/68