Pat

J-GLOBAL ID：200903009946414452

シリコン積層体の製造方法

Inventor： 田村 文孝 ,  岡安 良宣
Applicant, Patent owner： 東燃株式会社
Agent (1)： 久保田 耕平 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993265988
Publication number (International publication number)：1994224140
Application date： Oct. 25, 1993
Publication date： Aug. 12, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 基材からの剥離が起り難く薄膜でしかもその結晶粒径が大きい多結晶シリコン膜を短時間で形成可能なシリコン積層体の製造方法を提供する。【構成】 カーボンファイバー織布(炭素系基材2)を1400°Cに加熱し、シランとメタンとフォスフィン(n型ドーパント)の混合ガスを供給しこの織布上で気相反応させ、n型ドーパントが混入された膜厚と膜質が均一な炭化シリコンより成る中間膜22を製膜した後、高温プラズマ中にシリコン粒子を導入して溶融させ、それを上記の中間膜上に製膜させて結晶粒径の大きい多結晶シリコン膜23を形成し、織布と中間膜と多結晶シリコン膜からなるシリコン積層体20を製造する。中間膜の作用により多結晶シリコン膜の膜ストレスを低減でき、更に織布と多結晶シリコン膜間のオーミック接合が形成可能となり、BSF効果も得られる。

Claim (excerpt)：

炭素系基材と、この炭素系基材の表面に形成されn型又はp型ドーパントが混入された炭化シリコンより成る中間膜と、この中間膜上に製膜された多結晶シリコン膜とで構成されるシリコン積層体の製造方法において、シリコンの融点直下温度に設定された炭素系基材に対しガス状のシリコン原料、炭素原料及びn型又はp型ドーパントガスとで構成される混合ガスを供給し、この混合ガスを上記炭素系基材上で反応させてn型又はp型ドーパントが混入された炭化シリコンより成る中間膜を製膜した後、シリコン原子が含まれるシリコン原料を高温プラズマ中に導入してこの原料を溶融又は分解し、この溶融又は分解物をシリコンの融点直下温度に設定された炭素系基材の中間膜上に製膜させて多結晶シリコン膜を形成することを特徴とするシリコン積層体の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 31/04