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J-GLOBAL ID:200903009953141356

酸素イオン伝導体成形用原料粉体及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小玉 秀男 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002040415
Publication number (International publication number):2003238256
Application date: Feb. 18, 2002
Publication date: Aug. 27, 2003
Summary:
【要約】【課題】 クラックの発生を防いで安定して緻密な焼結体を得るための原料粉体及びその製造方法、ならびにそのような原料粉体を用いたランタン系酸素イオン伝導体の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の原料粉体の製造方法は、ランタン又はランタニドを含む多成分系金属酸化物から成る酸素イオン伝導体を成形するための原料粉体を製造する方法であって、該多成分系金属酸化物を構成する元素が全て含まれるように配合された混合粉体を仮焼した後、該仮焼後の粉体を水又は水気を含む気体に晒して該粉体中の少なくとも一部の粒子を膨張させることを特徴とする。または、成分の異なる二種の混合粉体を別個に仮焼した後、各仮焼粉体を所定の比率で配合することを特徴とする。
Claim (excerpt):
少なくともランタン又はランタニドを包含する二種以上の金属元素と酸素元素とから実質的に構成される多成分系金属酸化物から成る酸素イオン伝導体を成形するための原料粉体を製造する方法であって、以下の工程:該多成分系金属酸化物を構成する元素が全て含まれるように配合された二種以上の金属化合物から成る混合粉体を調製する工程;該粉体を仮焼する工程;および該仮焼後の粉体を水又は水気を含む気体に晒して該粉体中の少なくとも一部の粒子を膨張させる工程;を包含する、酸素イオン伝導体成形用原料粉体の製造方法。
IPC (4):
C04B 35/626 ,  C01F 17/00 ,  C04B 35/495 ,  H01B 13/00
FI (4):
C01F 17/00 B ,  H01B 13/00 Z ,  C04B 35/00 A ,  C04B 35/00 J
F-Term (20):
4G030AA07 ,  4G030AA08 ,  4G030AA09 ,  4G030AA10 ,  4G030AA13 ,  4G030AA16 ,  4G030AA27 ,  4G030AA28 ,  4G030AA29 ,  4G030AA31 ,  4G030AA34 ,  4G030BA03 ,  4G030GA03 ,  4G030GA04 ,  4G030GA08 ,  4G030GA22 ,  4G030GA27 ,  4G076AA18 ,  4G076AB02 ,  4G076BC08
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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