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J-GLOBAL ID：200903009955546779

マルチビーム半導体レーザ

Inventor： 根本 和彦 ,  大畑 豊治 ,  小川 正道
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992253090
Publication number (International publication number)：1994104535
Application date： Sep. 22, 1992
Publication date： Apr. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】 共振器間に熱干渉を引き起こすことなくレーザビームの間隔を狭小化し得るマルチビーム半導体レーザを提供し、これを用いた光ディスク装置、光磁気ディスク装置等のシステムの設計自由度の向上をはかる。【構成】 {100}結晶面を主面とする半導体基体の主面上に、〈001〉結晶軸方向に共振器長を有する複数のレーザ20A、20Bを各光出射端面を対向するように配置して、これら各光出射端面間に、基体の主面に対し45°を成す{110}結晶面より成る結晶成長ミラー面9A、9Bを各光出射端面に対向して設けて構成する。

Claim (excerpt)：

{100}結晶面を主面とする半導体基体の上記主面上に、〈001〉結晶軸方向に共振器長を有する複数のレーザが各光出射端面を対向するように配置され、上記各光出射端面間に、上記主面に対し45°を成す{110}結晶面より成る結晶成長ミラー面が上記各光出射端面に対向して設けられて成ることを特徴とするマルチビーム半導体レーザ。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  G11B 7/125 ,  H01L 21/20