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J-GLOBAL ID：200903009964474330

半導体装置の製造方法

Inventor： 白石 洋 ,  森澤 拓
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立化成工業株式会社
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996040941
Publication number (International publication number)：1997232428
Application date： Feb. 28, 1996
Publication date： Sep. 05, 1997
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】有機樹脂からなる層間絶縁膜に,化学的-機械的研磨法を用いて埋め込み配線を形成するための配線溝あるいはビアホールを,フォトレジストを用いて加工したマスクの形成とそれを絶縁層へ転写するような複雑な工程を簡素化する方法を提供する。【解決手段】有機樹脂絶縁層に化学的-機械的研磨法を用いて埋め込み配線を形成する方法において,埋め込み配線部となるべき当該有機樹脂絶縁層の加工工程が,当該有機樹脂絶縁層2上にシリコン含有ポリマー層3を形成する工程,活性化学線4を所定パタン状に当該シリコン含有ポリマー層に照射することで当該シリコン含有ポリマー層中に潜像5を形成する工程,現像によって当該シリコン含有ポリマー層に当該所定パタン状のマスクパタンを形成する工程,酸素の反応性イオンエッチングによって当該マスクパタンを当該有機樹脂絶縁層に転写する工程,からなる方法。

Claim (excerpt)：

酸素の反応性イオンエッチングによってエッチング可能な有機樹脂絶縁層に化学的-機械的研磨法を用いて埋め込み配線を形成する方法において,埋め込み配線部となるべき当該有機樹脂絶縁層の加工工程が,(1) 当該有機樹脂絶縁層上にシリコン含有ポリマー層を形成する工程,(2) 活性化学線を所定パタン状に当該シリコン含有ポリマー層に照射することで当該シリコン含有ポリマー層中に潜像を形成する工程,(3) 現像によって当該シリコン含有ポリマー層に当該所定パタン状のマスクパタンを形成する工程,(4) 酸素の反応性イオンエッチングによって当該マスクパタンを当該有機樹脂絶縁層に転写する工程,からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 321

FI (3)：

H01L 21/90 S ,  H01L 21/304 321 S ,  H01L 21/302 H