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J-GLOBAL ID:200903009972883207
無機固体電解質薄膜の形成方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
深見 久郎 (外4名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000378474
Publication number (International publication number):2002184455
Application date: Dec. 13, 2000
Publication date: Jun. 28, 2002
Summary:
【要約】【課題】 イオン伝導度が比較的高い無機固体電解質薄膜を製造することができる方法を提供する。【解決手段】 加熱されている基材1上に無機固体電解質からなる薄膜2を気相成長法により形成する。それにより、加熱しない基材上に薄膜を形成する場合よりも高いイオン伝導度を示す薄膜が得られる。また、室温または40°Cより低い温度の基材1上に、無機固体電解質からなる薄膜を形成した後、無機固体電解質からなる薄膜2を加熱して、そのイオン伝導度を増加させる。
Claim (excerpt):
基材上に無機固体電解質からなる薄膜を形成する方法であって、加熱されている基材上に前記無機固体電解質からなる薄膜を気相成長法により形成する工程を備え、それにより、加熱しない基材上に前記薄膜を形成する場合よりも高いイオン伝導度を示す薄膜を得ることを特徴とする、無機固体電解質薄膜の形成方法。
IPC (2):
FI (2):
H01M 10/36 A
, H01B 13/00 Z
F-Term (11):
5H029AJ01
, 5H029AL12
, 5H029AM11
, 5H029AM12
, 5H029CJ02
, 5H029CJ24
, 5H029DJ18
, 5H029HJ01
, 5H029HJ02
, 5H029HJ04
, 5H029HJ14
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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リチウム二次電池
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-307717
Applicant:住友電気工業株式会社
-
特開平3-297005
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