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J-GLOBAL ID：200903009976257750
負イオン注入装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
原 謙三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993052495
Publication number (International publication number)：1994267490
Application date： Mar. 12, 1993
Publication date： Sep. 22, 1994
Summary：
【要約】【構成】 シリコンウェハ1は、絶縁性の保持部材3bに保持されて負イオンビーム2の照射を受ける。シリコンウェハ1のビーム上流側には、ビーム2の照射面から放出される2次電子を捕集するためのファラデーカップ4が配設され、このファラデーカップ4に流れる電流が電流計測装置11により計測される。【効果】 負イオン注入が開始されてから所定時間後には、注入イオンの数と放出2次電子の数が等しくなり、シリコンウェハ1の表面電位がある電位(数V)で飽和することになり、チャージアップによるデバイス破壊が防止できる。放出2次電子の電流の計測によって正確なビーム電流が得られ、したがって、負イオンの注入量を正確に計測することができるので、正確なイオン注入量の制御が可能となる。
Claim (excerpt)：
イオン照射対象物を保持する保持部材を備え、該保持部材に保持されたイオン照射対象物に負イオンを照射してイオン照射対象物内に負イオンを注入する負イオン注入装置であって、上記保持部材が絶縁体からなることを特徴とする負イオン注入装置。
IPC (4)：
H01J 37/317
, C23C 14/48
, H01J 37/244
, H01L 21/265
Cited by examiner (7)
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