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J-GLOBAL ID：200903009977247511
半導体発光素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高島 一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992061420
Publication number (International publication number)：1993226695
Application date： Feb. 14, 1992
Publication date： Sep. 03, 1993
Summary：
【要約】【構成】 pn接合部2から光取出側表面13方向に放射される光を自己吸収する度合を少なくするため、該表面13に設けられた上部電極3とpn接合部2までの距離を20μm以下とした半導体発光素子1において、光取出側の最外層としてキャリア濃度が5×1017cm-3以上の電流拡散層14を設ける。【効果】 上部電極とpn接合部との間の距離が近接していても、電流がpn接合部全面に行亘るので、高輝度発光素子が得られる。
Claim (excerpt)：
発光素子の表面に設けられた上部電極とpn接合部との距離が20μm以下であるような半導体発光素子において、前記上部電極直下にキャリア濃度が5×1017cm-3以上の電流拡散層を設けたことを特徴とする半導体発光素子。
Patent cited by the Patent：
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