横型半導体デバイスの配線構造

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：川瀬茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004119306
Publication number (International publication number)：2005303137
Application date： Apr. 14, 2004
Publication date： Oct. 27, 2005
Summary：

【課題】電流が基板面に平行に流れる横型のFETデバイスであってオフ時の耐圧を高く維持しながら流せる電流をより増加させることのできるパワーデバイス構造を与えること。【解決手段】ソース領域とドレイン領域のどちらか一方を基板の上方で縦横にM×Nの行列状に並ぶ菱型領域9とし、ソース領域とドレイン領域の他方を基板の上方で菱型領域を囲み相互に連結する荊棘柱状領域8として、ゲート領域は菱型領域を取り囲む菱型の形状7とし隣接するゲート領域と相互に接続されており、菱型領域9の電極は一方の端に集電電極を有する楔型の配線で統合され、荊棘柱状領域8の電極は他方の端に集電電極を有する楔型の配線で統合されている。【選択図】図7

Claim (excerpt)：

半導体基板と、その上に設けられた半導体薄膜と、半導体薄膜中に高濃度に不純物をドープしたソース領域、ドレイン領域、ゲート領域を含み、ソース領域とドレイン領域のどちらか一方を基板の上方で縦横にM×Nの行列状に並ぶ菱型領域9とし、ソース領域とドレイン領域のもう一方を基板の上方で菱型領域を囲み菱型の短辺方向で相互に連結する荊棘柱状領域8として、ゲート領域は菱型領域を取り囲む菱型の形状7とし隣接するゲート領域と相互に接続されており、菱型領域9の電極は列ごとに一方の端に集電電極を有するN個の楔型の配線で統合され、荊棘柱状領域8の電極は列ごとに他方の端に集電電極を有するN個の楔型の配線で統合されていることを特徴とする横型半導体デバイスの配線構造。

IPC (7)：

H01L21/337 , H01L21/338 , H01L29/41 , H01L29/417 , H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/812

FI (5)：

H01L29/80 C , H01L29/44 P , H01L29/50 J , H01L29/80 L , H01L29/78 301W

F-Term (66)：

4M104AA01 , 4M104AA03 , 4M104AA04 , 4M104AA05 , 4M104BB05 , 4M104BB14 , 4M104BB18 , 4M104DD35 , 4M104DD68 , 4M104DD78 , 4M104DD84 , 4M104FF11 , 4M104FF13 , 4M104GG08 , 4M104GG11 , 4M104GG18 , 4M104HH01 , 5F102FA01 , 5F102FA02 , 5F102FA03 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD04 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GJ05 , 5F102GL02 , 5F102GL03 , 5F102GL05 , 5F102GR12 , 5F102GR13 , 5F102GS07 , 5F102GS08 , 5F102GS09 , 5F102GV03 , 5F140AA30 , 5F140AA40 , 5F140AB04 , 5F140AB08 , 5F140BA01 , 5F140BA02 , 5F140BA06 , 5F140BA07 , 5F140BA16 , 5F140BF53 , 5F140BF54 , 5F140BH03 , 5F140BH04 , 5F140BH30 , 5F140BH41 , 5F140BH50 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BJ25 , 5F140BK13 , 5F140BK29 , 5F140BK34 , 5F140CA01 , 5F140CA03 , 5F140CA06 , 5F140CA10 , 5F140CC02 , 5F140CC03 , 5F140CC08 , 5F140CE02

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