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J-GLOBAL ID：200903009996724827

光電変換素子

Inventor： 上田 稔 ,  藤田 昇 ,  関本 芳宏
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (3)： 西教 圭一郎 ,  杉山 毅至 ,  廣瀬 峰太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004245874
Publication number (International publication number)：2006066550
Application date： Aug. 25, 2004
Publication date： Mar. 09, 2006
Summary：

【課題】 簡単な構成で、光電変換層を透過してしまう光を、有効利用して変換効率を向上させることができる光電変換素子を提供する。【解決手段】 光電変換層2の厚み方向他表面13に電場形成物質4を配置する。光電変換層2に入射した光の一部は、この光電変換層2を透過する。電場形成物質4は、光電変換層2を透過した光のうち、光電変換層2のバンドギャップよりも大きな波長帯の光が与えられることによって、光電変換層2内に電場を形成することができる。電場が形成された光電変換層2内では、この電場によって励起が起こり、電子および正孔が生成され、光電変換層2では、より多くの電気エネルギを生成することができ、光電変換層2で電気エネルギへの変換に寄与しなかった光を、電場に変換して、光電変換層2における電気エネルギの生成に寄与させ、変換効率を向上させることができる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

厚み方向一表面側から光を入射し、光エネルギを電気エネルギに変換する光電変換層と、 光電変換層を透過し、光電変換層のバンドギャップよりも大きなエネルギを有する予め定める波長帯の光が与えられることによって、光電変換層内に電場を形成する電場形成物質とを含むことを特徴とする光電変換素子。

IPC (1)：

H01L 31/04

FI (1)：

H01L31/04 A

F-Term (4)：

5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051AA04 ,  5F051HA20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 太陽電池及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-093981   Applicant：シャープ株式会社
• 特開昭63-244688号公報
  
• 光電変換装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-338047   Applicant：セイコーエプソン株式会社