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J-GLOBAL ID：200903009997608979

半導体装置

Inventor： 村井 一郎
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 國分 孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991283903
Publication number (International publication number)：1993003300
Application date： Oct. 04, 1991
Publication date： Jan. 08, 1993
Summary：

【要約】【目的】 コンタクトホールの直下に形成された不純物層と半導体基板との接合部やp-n接合部での電界の集中を防ぐ半導体装置を提供すること。【構成】 p(n)型の半導体基板1上に絶縁層2を形成し、その絶縁層2の所定位置にコンタクトホールCを形成する。このコンタクトホールCに対向する半導体基板1には半導体基板1とは異なる導電性の不純物領域をコンタクトホールC側からn+ (p+ ) 層7、n- (p- )層8の順に2重に設ける。

Claim (excerpt)：

第1の導電性を有する半導体基板と、この半導体基板上に形成され、所定位置に上記半導体基板に達する孔を有する絶縁層と、この絶縁層の孔に対向する上記半導体基板の位置に形成され、上記半導体基板の導電性とは異なる第2の導電性を有するために必要な不純物を含んでいる第1の不純物領域と、この第1の不純物領域と連なりつつ上記第1の不純物領域よりも上記半導体基板の内部に形成され、上記第1の不純物領域と同じ導電性を有し、上記第1の不純物領域と同じ導電性を示すために必要な不純物を上記第1の不純物領域よりも低濃度に含んでいる第2の不純物領域と、を備えた半導体装置。

IPC (2)：

H01L 27/108 ,  H01L 29/784

FI (2)：

H01L 27/10 325 C ,  H01L 29/78 301 X