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J-GLOBAL ID：200903009998052800
サファイア面上の酸化亜鉛圧電結晶膜
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
中野 雅房
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993215091
Publication number (International publication number)：1995050436
Application date： Aug. 05, 1993
Publication date： Feb. 21, 1995
Summary：
【要約】【目的】【外1】〔R面〕サファイア上に配向性のよい【外2】ZnOエピタキシャル膜を形成する。【構成】 RFマグネトロンスパッタリング装置8の容器7内にCuをドープしたZnメタルターゲット4をセットすると共に容器7内にAr+O2ガスを導入し、ターゲット4に対向させてR面サファイア1を配置する。ターゲット4から飛び出たZn粒子はO2ガスと反応し、ZnO粒子及びCu粒子としてR面サファイア1の面上に付着し、Cuを含有したZnOエピタキシャル膜2となる。
Claim (excerpt)：
【外1】とほぼ平行なサファイア面上にZn95.5重量部に対してCuを4.5重量部以下の割合で添加した【外2】酸化亜鉛エピタキシャル膜を形成したことを特徴とするサファイア面上の酸化亜鉛圧電結晶膜。
IPC (2)：
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