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J-GLOBAL ID：200903009999906691

スピンバルブ磁気抵抗センサ及び薄膜磁気ヘッド

Inventor： 深川 智機 ,  西田 宏 ,  上野 昌紀 ,  野瀬 正照 ,  永井 秀康 ,  樋上 文範
Applicant, Patent owner： リードライト・エスエムアイ株式会社
Agent (1)： 梅田 明彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999023739
Publication number (International publication number)：2000222709
Application date： Feb. 01, 1999
Publication date： Aug. 11, 2000
Summary：

【要約】【課題】 スピンバルブ磁気抵抗センサにおける基板とスピンバルブ膜間の下地層の(111)配向を強くしてセンサの磁気特性を向上させる。【解決手段】 例えばNiFeCrTiやNiCrTi等のように、周期律表のVIIIa族及びIb族の元素から選択される1種又は2種以上の元素と、IIa族、IVa族、Va族、VIa族、IIb族、IIIb族及びIVb族の元素から選択される1種又は2種以上の元素とを組み合わせた合金からなるfcc構造の第2下地膜12を有する下地層2を基板上に設け、その上にPt1-xMnx合金又はIr1-xMnx合金からなる反強磁性層4を有する磁気抵抗(MR)膜3を積層したスピンバルブ磁気抵抗センサ。第2下地膜の合金中に含まれる元素のうち酸化物生成自由エネルギーの最も小さい元素の組成は0.1at%乃至15at%の範囲とする。

Claim (excerpt)：

基板上に非磁性材料の下地層と、非磁性導電層を挟んで配置された1対の強磁性層と、一方の前記強磁性層に隣接するPt1-xMnx合金又はIr1-xMnx合金からなる反強磁性層とを積層したスピンバルブ磁気抵抗センサであって、前記下地層が、周期律表のVIIIa族及びIb族の元素から選択される1種又は2種以上の元素と、IIa族、IVa族、Va族、VIa族、IIb族、IIIb族及びIVb族の元素から選択される1種又は2種以上の元素とを組み合わせた合金からなるfcc構造の合金層を有し、かつ該合金層中に含まれる元素のうち酸化物生成自由エネルギの最も小さい元素の組成が0.1at%乃至15at%の範囲であることを特徴とするスピンバルブ磁気抵抗センサ。

F-Term (4)：

5D034BA05 ,  5D034BA21 ,  5D034CA08 ,  5D034DA07