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J-GLOBAL ID：200903010000251322

半導体光触媒の製造方法

Inventor： 黒田 洋 ,  芦村 隆士
Applicant, Patent owner： 富士チタン工業株式会社
Agent (1)： 野崎 銕也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994090712
Publication number (International publication number)：1995275702
Application date： Apr. 06, 1994
Publication date： Oct. 24, 1995
Summary：

【要約】【構成】 塩基性硫酸チタニウムアンモニウムを製造し、それを500〜800°Cで熱分解して二酸化チタンとし、それに金属チタンを0.1〜20重量%添加した後、300〜700°Cで焼成し、好ましくはそれを担体に担持する高活性二酸化チタン半導体光触媒の製造方法及び、その触媒を用いた有害な有機化合物を含有する廃液を処理する方法。【効果】 従来処理に困っていた有害な有機化合物(例えば、有機ハロゲン化合物、TNT、有機塩素系農薬、フェノール系化合物等)を工業的規模で簡便且つ省エネルギー的に無害化することが可能になった。

Claim (excerpt)：

四塩化チタンと硫酸と硫安とから、又は硫酸チタンと硫安とから、塩基性硫酸チタニウムアンモニウムを製造し、次にそれを500〜800°Cで熱分解して二酸化チタンを製造し、次いでその二酸化チタンに金属チタンを0.1〜20重量%添加した後、300〜700°Cで焼成することを特徴とする高活性二酸化チタン半導体光触媒の製造方法。

IPC (4)：

B01J 21/06 ZAB ,  B01D 53/86 ZAB ,  B01J 35/02 ZAB ,  C02F 1/30 ZAB

FI (2)：

B01D 53/36 ZAB G ,  B01D 53/36 ZAB J