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J-GLOBAL ID：200903010036990040

薄膜トランジスターの製造装置

Inventor： 天野 さおり ,  渋谷 司
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993257897
Publication number (International publication number)：1995115201
Application date： Oct. 15, 1993
Publication date： May. 02, 1995
Summary：

【要約】【目的】 不純物イオンの注入回数を増やすことなく、生産性のよいOFF特性の優れた薄膜トランジスターの製造装置を提供する。【構成】 ゲート電極3を形成して不純物イオンを注入した後、基板を回転させながら斜め上方よりエネルギービームを照射することにより半導体層1を複数の領域に区分する。(図1(f))

Claim (excerpt)：

ゲート電極に対し、ゲート絶縁膜を間に挟んで設けた半導体層が複数の領域に区分され、該半導体層の該ゲート電極に対向する部分にチャネル領域が、該チャネル領域に隣接する両側部分の少なくとも一方に不純物の活性度が低い半導体領域が形成され、該チャネル領域および該不純物の活性度が低い半導体領域を囲んで隣接する両側部分に不純物の活性度が高い半導体領域が形成される薄膜トランジスターの製造装置において、該半導体膜、該ゲート絶縁膜、該ゲート電極を順次形成して、不純物イオンの注入を行った後、基板またはエネルギービーム照射口またはその両方を回転させながら該基板表面に対して斜め上方よりエネルギービームの照射を行うことにより半導体層を複数の領域に区分することを特徴とした薄膜トランジスターの製造装置。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/268