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J-GLOBAL ID：200903010038006860

絶縁ゲイト型半導体装置の作製方法

Inventor： 山崎 舜平 ,  竹村 保彦
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991238712
Publication number (International publication number)：1993055246
Application date： Aug. 26, 1991
Publication date： Mar. 05, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 LDD構造を作製する方法として、アスペクト比が1以上の高アスペクト比のゲイト電極でも何ら問題なく実施できる全く新しい方法を提唱する。【構成】 MOSFETにおいて、LDD領域を形成するにあたって、最初に、ゲイト電極となるべき部分11をマスクとしてセルフアライン法で低濃度不純物領域13(第1の不純物領域)を形成したのち、熱酸化法等の方法によってゲイト電極となるべき部分を酸化し、内部にゲイト電極15を形成し、ゲイト電極側面に生成した酸化物層14をマスクとしてセルフアライン法で高濃度不純物領域16(第2の不純物領域)を形成する。

Claim (excerpt)：

半導体上に形成された絶縁性被膜上に、ゲイト電極となるべき部分を形成する工程と、前記部分をマスクとして不純物を半導体中に導入し、自己整合的に第1の不純物領域を形成する工程と、前記部分の少なくとも側面を酸化する工程と、前記工程によって酸化されたゲイト電極の部分をマスクとして不純物を半導体中に導入し、自己整合的に第2の不純物領域を形成する工程とを有することを特徴とする絶縁ゲイト型半導体装置の作製方法。

IPC (2)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭62-140464
  
• 特開昭63-023362