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J-GLOBAL ID：200903010046676735
プラズマエッチング装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
澁谷 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995197997
Publication number (International publication number)：1997027482
Application date： Jul. 11, 1995
Publication date： Jan. 28, 1997
Summary：
【要約】【目的】 被エッチング物の表面を局部的にエッチングするプラズマエッチング装置を提供する。【構成】 マグネトロン1で発生した2.45GHzのマイクロ波を反応性ガス供給管3を通るCF4 と酸素の混合ガスに導波管2を通して印加し、反応性ガスをプラズマ化する。プラズマ化した反応性ガスは、ノズル4からウェハ5の凸部5aに当てられる。エッチング中に発生した反応生成物は、反応性ガス供給管6の外周に同軸状に設けられた反応生成物排気管6の吸引口6aから吸引されて、外部に排気される。シリコンウェハ5の表面を局部的にエッチングするために、シリコンウェハ5を移動台7に吸着固定して、駆動手段8にて移動台をx、y及びθ方向に移動させる。反応生成物排気管6の吸引口6aを反応性ガス供給管のノズル4に近接して設けたから、反応生成物を直ちに排気することができる。
Claim (excerpt)：
プラズマ化した反応性ガスにて被エッチング物をエッチングするプラズマエッチング装置において、プラズマ化した反応性ガスを前記被エッチング物表面に供給する反応性ガス供給手段と、該反応性ガス供給手段の外周に設けられ、プラズマ化した反応性ガスと被エッチング物との反応生成物を吸引する反応生成物吸引手段とを備えることを特徴とするプラズマエッチング装置。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/302 B
, C23F 4/00 A
