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J-GLOBAL ID：200903010050970362

自己消弧形半導体素子のゲート制御方法

Inventor： 吉川 春樹
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995124686
Publication number (International publication number)：1996322240
Application date： May. 24, 1995
Publication date： Dec. 03, 1996
Summary：

【要約】【目的】電圧制御形の自己消弧形電力用半導体素子の温度に対応してゲート駆動回路の出力を調整して該素子の損失や跳ね上がり電圧を抑制する。【構成】IGBT1のケース温度を温度センサ201で検出し、検出した温度を変換器31で電圧に変換し、この電圧とオン・オフ信号との乗算演算を掛算器32で行い、掛算器32の出力を積分器33で積分した出力によりIGBT1のゲートに給電することにより、IGBT1の損失や跳ね上がり電圧をほぼ一定とする。

Claim (excerpt)：

電圧制御形の自己消弧形電力用半導体素子をターンオンさせるための自己消弧形半導体素子のゲート制御方法において、前記自己消弧形電力用半導体素子の温度を検出し、検出した温度に対応して該素子のターンオン時のゲート電圧の立ち上がり波形を調整することを特徴とする自己消弧形半導体素子のゲート制御方法。

IPC (3)：

H02M 1/08 ,  H02M 1/00 ,  H02M 7/537

FI (3)：

H02M 1/08 A ,  H02M 1/00 R ,  H02M 7/537 E