セルフアライン・コンタクト孔の形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992319550
Publication number (International publication number)：1993218211
Application date： Nov. 30, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】下層配線に対して自己整合的なコンタクト孔を形成するにあたり、このコンタクト孔の占有面積を十分に小さくするとともに、この下層配線とこのコンタクト孔に埋め込まれる上層配線との間の絶縁性を確保する。【構成】P型のシリコン基板101上に、フィールド酸化膜102,ゲート酸化膜103を介して、N型の多結晶シリコン膜104と酸化アルミニウム膜105aが形成される。これらの膜がパターニングされ、ゲート電極104a等の複数の配線とこれらの配線の上面を覆う酸化アルミニウム膜マスク105aaとが形成される。全面に酸化アルミニウム膜107aが形成され、この膜がエッチバックされ、これらの配線の側面を覆う酸化アルミニウム膜スペーサ107aaが形成される。全面にBPSG膜からなる層間絶縁膜109aが形成される。フロロカーボン系のガスを用いて、層間絶縁膜109aa,ゲート酸化膜103が異方性ドライエッチングされ、シリコン基板101表面に形成された拡散層108に達するセルフアライン・コンタクト孔111aが形成される。

Claim (excerpt)：

シリコン系の絶縁膜を介して半導体基板上に導電体膜,マスク用の酸化アルミニウム膜を順次形成し、前記マスク用の酸化アルミニウム膜と前記導電体膜とを所定の同一形状にパターニングして前記導電体膜からなる配線と前記配線の上面に前記マスク用の酸化アルミニウム膜からなる酸化アルミニウム膜マスクとを形成し、全面にスペーサ用の酸化アルミニウム膜を形成し、前記スペーサ用の酸化アルミニウム膜をエッチバックして前記配線の側面に前記スペーサ用の酸化アルミニウム膜からなる酸化アルミニウム膜スペーサを形成する工程と、前記半導体基板表面の所定の領域に所定の導電型を有する拡散層を形成する工程と、全面に酸化シリコン系の層間絶縁膜を形成し、フロロカーボン系のガスによる異方性ドライエッチングを行なって前記拡散層に達するセルフアライン・コンタクト孔を形成する工程と、を有することを特徴とするセルフアライン・コンタクト孔の形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/90 , H01L 21/28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開昭55-052262
特開昭64-080076
特開平1-258471

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