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J-GLOBAL ID：200903010055830186

光半導体装置

Inventor： 西村 晋 ,  上山 孝二
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社 ,  鳥取三洋電機株式会社
Agent (1)： 芝野 正雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001306349
Publication number (International publication number)：2003110152
Application date： Oct. 02, 2001
Publication date： Apr. 11, 2003
Summary：

【要約】【課題】 光半導体装置において半導体基板の材料に制限を受けることなく、静電気などの過電圧および逆電圧による発光素子の破壊を防止する。【解決手段】 下面電極2を有する半導体基板1と、この半導体基板1の上面に形成された端子電極3と、異なる面側に正・負の表面電極41a,41bを有する発光素子4とを備える。表面電極41aを端子電極3に接続し、半導体基板1の抵抗値Rを発光素子4の作動時抵抗値よりも大きくし、且つ発光素子4の表面電極41bと半導体基板1の下面電極2とを同電位とし、端子T1と端子T2との間に駆動電圧を印加する。

Claim (excerpt)：

下面に電極が形成され半導体基板と、この半導体基板の上面に形成された端子電極と、異なる面側に正・負の表面電極を有する発光素子とを備え、前記表面電極のいずれか一方を前記端子電極に接続し、前記半導体基板の抵抗値を前記発光素子の作動時抵抗値よりも大きくし、且つ前記端子電極と接続していない方の発光素子の表面電極と半導体基板の下面の電極とを同電位とし、前記端子電極と接続していない方の発光素子の表面電極と、前記端子電極との間に駆動電圧を印加することを特徴とする光半導体装置。

FI (2)：

H01L 33/00 N ,  H01L 33/00 C

F-Term (5)：

5F041AA23 ,  5F041BB22 ,  5F041CA40 ,  5F041DA04 ,  5F041DA09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体発光装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-034168   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-150473   Applicant：サンケン電気株式会社