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J-GLOBAL ID：200903010057265036

超伝導積層薄膜およびその製造方法

Inventor： 吉武 務 ,  藤田 淳一 ,  佐藤 哲朗
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 岩佐 義幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992201651
Publication number (International publication number)：1994048738
Application date： Jul. 29, 1992
Publication date： Feb. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 Bi系酸化物超伝導体の超伝導特性劣化の原因となる相互拡散や配向性の乱れ等を少なくするとともに、ジョセフソン接合形成を容易とする。【構成】 SrTiO<SB>3 </SB>(100)単結晶基板面に対し、その法線から(111)方向に傾けて研磨することにより<1-10>方向にステップを形成した基板1上において、Bi<SB>2 </SB>Sr<SB>2 </SB>CuO<SB>z </SB>系酸化物をヘテロエピタキシャル成長させたバッファー層2を形成し、その上部に、中間層であるBi<SB>2 </SB>Sr<SB>2 </SB>CuO<SB>z </SB>系酸化物層4の両側を挟んだBi<SB>2 </SB>(Sr<SB>1-x </SB>Ca<SB>x </SB>)<SB>3 </SB>Cu<SB>2 </SB>O<SB>y </SB>系超伝導体層3,5を形成する。

Claim (excerpt)：

SrTiO<SB>3 </SB>(100)単結晶基板面の法線から(111)方向に傾けて研磨することにより<1-10>方向にステップを形成した単結晶基板と、単結晶基板上に形成されたBi<SB>2 </SB>Sr<SB>2 </SB>CuO<SB>z </SB>系酸化物よりなるバッファー層と、バッファー層の上面に形成されたBi<SB>2 </SB>(Sr<SB>1-x </SB>Ca<SB>x </SB>)<SB>3 </SB>Cu<SB>2 </SB>O<SB>y </SB>系超伝導体よりなる第1の超伝導体層と、第1の超伝導体層の上面に形成されたBi<SB>2 </SB>Sr<SB>2 </SB>CuO<SB>z </SB>系酸化物よりなる中間層と、中間層の上面に形成されたBi<SB>2 </SB>(Sr<SB>1-x </SB>Ca<SB>1 </SB>)<SB>3 </SB>Cu<SB>2 </SB>O<SB>y </SB>系超伝導体よりなる第2の超伝導体層を有することを特徴とする超伝導積層薄膜。

IPC (5)：

C01G 29/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/24 ZAA