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J-GLOBAL ID:200903010060129879
電子製品材料の精製方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000327091
Publication number (International publication number):2002114743
Application date: Oct. 26, 2000
Publication date: Apr. 16, 2002
Summary:
【要約】 (修正有)【課題】昇華精製法の収率、処理時間の問題と有機溶剤を除去し難い問題を解決し、電子製品材料に適した有機化合物の安価な精製方法を提供する。【解決手段】電子製品材料の粗製品を減圧下に熔融して、粗製品中に含まれる低温昇華物または/および有機溶剤を除去し、昇華残査を用いる電子製品材料の精製方法。また電子製品材料の粗製品を吸着法、晶折法又は流体クロマトグラフィーの1種以上の方法で精製した後に、減圧下に熔融して低温昇華物および有機溶剤を除去し、昇華残査を用いる電子製品材料の精製方法。さらに電子製品材料がトリフェニルアミン誘導体であり、トリフェニルアミン誘導体が分子量400〜2000の正孔輸送材料用の有機化合物である電子製品材料の精製方法。
Claim (excerpt):
電子製品材料の粗製品を減圧下に熔融して、粗製品中に含まれる低温昇華物または/および有機溶剤を除去し、昇華残査を用いることを特徴とする電子製品材料の精製方法。
IPC (3):
C07C209/84
, C07C209/10
, C07C211/54
FI (3):
C07C209/84
, C07C209/10
, C07C211/54
F-Term (5):
4H006AA02
, 4H006AC52
, 4H006AD17
, 4H006BC52
, 4H006BD60
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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有機エレクトロルミネッセンス素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-304789
Applicant:出光興産株式会社
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昇華精製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-341532
Applicant:出光興産株式会社
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特開昭60-036304
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ベンジジン化合物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-293801
Applicant:保土谷化学工業株式会社
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