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J-GLOBAL ID:200903010060129879

電子製品材料の精製方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000327091
Publication number (International publication number):2002114743
Application date: Oct. 26, 2000
Publication date: Apr. 16, 2002
Summary:
【要約】 (修正有)【課題】昇華精製法の収率、処理時間の問題と有機溶剤を除去し難い問題を解決し、電子製品材料に適した有機化合物の安価な精製方法を提供する。【解決手段】電子製品材料の粗製品を減圧下に熔融して、粗製品中に含まれる低温昇華物または/および有機溶剤を除去し、昇華残査を用いる電子製品材料の精製方法。また電子製品材料の粗製品を吸着法、晶折法又は流体クロマトグラフィーの1種以上の方法で精製した後に、減圧下に熔融して低温昇華物および有機溶剤を除去し、昇華残査を用いる電子製品材料の精製方法。さらに電子製品材料がトリフェニルアミン誘導体であり、トリフェニルアミン誘導体が分子量400〜2000の正孔輸送材料用の有機化合物である電子製品材料の精製方法。
Claim (excerpt):
電子製品材料の粗製品を減圧下に熔融して、粗製品中に含まれる低温昇華物または/および有機溶剤を除去し、昇華残査を用いることを特徴とする電子製品材料の精製方法。
IPC (3):
C07C209/84 ,  C07C209/10 ,  C07C211/54
FI (3):
C07C209/84 ,  C07C209/10 ,  C07C211/54
F-Term (5):
4H006AA02 ,  4H006AC52 ,  4H006AD17 ,  4H006BC52 ,  4H006BD60
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
  • 有機エレクトロルミネッセンス素子
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2001-304789   Applicant:出光興産株式会社
  • 昇華精製方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平9-341532   Applicant:出光興産株式会社
  • 特開昭60-036304
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