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J-GLOBAL ID：200903010066982263

半導体受光素子

Inventor： 田中 清嗣
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995228505
Publication number (International publication number)：1997055532
Application date： Aug. 14, 1995
Publication date： Feb. 25, 1997
Summary：

【要約】【課題】 光磁気ディスク記録再生装置の光ピックアップに用いた場合にその薄型化および低コスト化を同時に達成することができる半導体受光素子を提供する。【解決手段】 半絶縁性半導体基板1上にn型半導体層2を設け、n型半導体層2上に一対のくし型電極3、4を互いに対向し、かつn型半導体層2とショットキー接触させて設ける。くし型電極3、4はワイヤグリッド偏光子として働くように設計する。動作時には、くし型電極4は例えば接地し、くし型電極3にバイアス電圧VD を印加する。受光面に入射する光をくし型電極3、4により偏光分離する。これにより得られる一方の偏光はくし型電極3、4の間隙を通ってn型半導体層2に入射して検出される。他方の偏光は受光面で反射される。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に一対のくし型電極が互いに対向して設けられた構造を有する半導体受光素子において、上記一対のくし型電極がワイヤグリッド偏光子を構成していることを特徴とする半導体受光素子。

IPC (2)：

H01L 31/108 ,  G11B 7/13

FI (2)：

H01L 31/10 C ,  G11B 7/13

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 集積光検出器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-244129   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開平4-177643
  
• 横型受光素子及びその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-086345   Applicant：住友電気工業株式会社
• 特開平4-106984
  
• 特開昭61-233329