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J-GLOBAL ID：200903010071149090

薄膜電界効果トランジスタ及び相補型薄膜電界効果トランジスタ

Inventor： 長野 克人
Applicant, Patent owner： ティーディーケイ株式会社
Agent (1)： 南條 眞一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993145928
Publication number (International publication number)：1995131017
Application date： Jun. 17, 1993
Publication date： May. 19, 1995
Summary：

【要約】【目的】 良好な周波数特性を実現することができるTFTの構造を得る。【構成】 TFTの動作領域を、絶縁基板上に積層されたソース領域,チャンネル領域及びドレイン領域を切断した端面の半導体層で構成し、切断端面にゲート電極が設ける。この切断端面は対向して形成してもよい。また、隣接して構成されたTFTを異なる型のTFTで構成することにより相補型構成とする。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に複数の半導体層が積層して形成され、該積層して形成された複数の半導体層を切断して端面が形成され、該端面上に絶縁層が形成され、該絶縁層上に導電層が形成され、前記複数の半導体層が各々MOSFETのソース領域、チャンネル領域及びドレイン領域とされ、前記絶縁層がMOSFETのゲート絶縁膜とされ、前記導電層がMOSFETのゲート電極とされることによって薄膜電界効果トランジスタ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭58-071664
  
• 特開昭61-144875
  
• 特開昭63-293881