Pat

J-GLOBAL ID：200903010076604968

半導体光素子及びそれを使用した半導体光装置

Inventor： 鈴木 安弘 ,  黒崎 武志 ,  東盛 裕一 ,  福田 光男 ,  岡本 稔 ,  杉江 利彦 ,  馬渡 宏泰
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 田中 正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993251107
Publication number (International publication number)：1995086696
Application date： Sep. 13, 1993
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】 単結晶半導体でなる基板と、その基板上に形成されている単結晶半導体でなる活性層とを有する半導体光素子において、半導体光検出器としての機能を得ている場合に、その半導体光検出器しての光検出感度が信号光の偏波態様にほとんど依存しないようにする。【構成】 活性層が、基板を構成している単結晶半導体と等しい格子定数を有する単結晶半導体を用いてエピタキシャル成長法によって形成されている井戸層と、基板を構成している単結晶半導体に比し小さな格子定数を有する単結晶半導体を用いてエピタキシャル成長法によってその成長方向と直交する方向に引張り歪が与えられている状態に形成されているバリア層とが順次交互に積層されている量子井戸構造を有する。

Claim (excerpt)：

単結晶半導体でなる基板と、その基板上に形成されている単結晶半導体でなる活性層とを有する半導体光素子において、上記活性層が、上記基板を構成している単結晶半導体と等しい格子定数を有する単結晶半導体を用いてエピタキシャル成長法によって形成されている井戸層と、上記基板を構成している単結晶半導体に比し小さな格子定数を有する単結晶半導体を用いてエピタキシャル成長法によってその成長方向と直交する方向に引張り歪が与えられている状態に形成されているバリア層とが順次交互に積層されている量子井戸構造を有することを特徴とする半導体光素子。

IPC (4)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/20 ,  H01L 31/10 ,  H01L 33/00