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J-GLOBAL ID：200903010101441068

SiN系絶縁膜の成膜方法

Inventor： 佐藤 淳一
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994091546
Publication number (International publication number)：1995300680
Application date： Apr. 28, 1994
Publication date： Nov. 14, 1995
Summary：

【要約】【構成】 Si原子にアジド基と炭素数2以上の炭化水素基とがそれぞれ少なくとも1つずつ結合されてなる有機Si化合物、あるいは、Si原子にアジド基と-NR2 基(但し、Rは炭素数1以上の炭化水素を示す)とがそれぞれ少なくとも1つずつ結合されてなる有機Si化合物を原料ガスとして用い、プラズマを間欠的に発生させながら、SiN系絶縁膜4を成膜する。【効果】 ボイドやクラックが発生することなく良好なカバレージを有し、且つ炭素成分の含有量およびパーティクルの付着や取り込みが低減されたSiN系絶縁膜が得られる。さらに膜厚均一性にも優れ、ウェハの大口径化にも対応できる。このため、パッシベーション膜や層間絶縁膜として形成すれば、十分な絶縁性も確保でき、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。

Claim (excerpt)：

プラズマCVD法により基板上にSiN系絶縁膜を成膜するに際し、原料ガスとして、Si原子にアジド基と炭素数2以上の炭化水素基とがそれぞれ少なくとも1つずつ結合されてなる有機Si化合物を用い、プラズマを間欠的に生成させながら成膜を行うことを特徴とするSiN系絶縁膜の成膜方法。

IPC (4)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/318