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J-GLOBAL ID：200903010117486860

透明導電膜およびそれを用いた半導体装置ならびにその作製方法

Inventor： 村上 あかね ,  崔 葆春 ,  宮崎 稔
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992315502
Publication number (International publication number)：1994088973
Application date： Sep. 12, 1992
Publication date： Mar. 29, 1994
Summary：

【要約】【目的】 低抵抗かつ高透過率の透明導電膜およびそれを利用した半導体デバイス等を提供する。【構成】 室温下にてスパッタ法を用い、ITOを成膜した後に、水素雰囲気中にて200〜400°Cの温度でアニール処理を行う。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に、基板温度を0〜100°Cに保ち、DCスパッタ法、RFスパッタ法、電子ビーム蒸着法、プラズマCVD法のいずれかの方法でITO薄膜を作製した後に、水素雰囲気中で200〜400°Cでアニールすることを特徴とする透明導電膜の作製方法。

IPC (7)：

G02F 1/136 500 ,  C23C 14/58 ,  H01B 5/14 ,  H01B 13/00 503 ,  H01L 29/40 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/336

FI (2)：

H01L 29/78 311 A ,  H01L 29/78 311 Y

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特開平3-166518
  
• 特開昭63-203757
  
• 特開昭63-184210
  
• 特開平1-129234
  
• 特開平2-100024
  
• 特開平2-188720