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J-GLOBAL ID:200903010133887920

有機半導体製画像センサ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 谷 義一 (外2名)
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2000529741
Publication number (International publication number):2002502120
Application date: Feb. 02, 1999
Publication date: Jan. 22, 2002
Summary:
【要約】有機半導体から作製されるモノクロまたは多色応答性を有する画像センサを開示する。この画像センサは、導電性電極間に挟持された有機半導体の薄層(または複数層)をそれぞれが有する画像感知素子(画素)からなる。前記画像センサは、同一基板上または異なる基板上で電子素子または光学素子と統合または混成させることができる。入力画像から生じる画像センサからの電気的出力信号を、電極に接続された回路によって調べる。画像感知素子のスペクトル応答性は、材料選択、素子の厚さ調節および/または光学フィルタ処理によって、変更および調節することができる。赤色、緑色および青色のフルカラー検出を行うための手法をいくつか開示する。同様の手法を、所望の応答プロファイルおよび他の選択されたスペクトル領域での多帯域検出(波長の多重化)に用いることもできる。
Claim (excerpt):
共通基板上に配列された複数の有機光センサを有する高画素密度光画像センサであって、前記光センサがそれぞれ、一方の側が第1の電極で境界を画され、反対側が第2の電極で境界を画された有機半導体材料を有する活性層を有し、前記第1の電極と第2の電極を橋絡し、前記光センサによって感知される入射光に応答して光センサからの電気的出力を検出することができる検出器を備えることを特徴とする画像センサ。
IPC (6):
H01L 27/146 ,  G02B 5/20 101 ,  H01L 51/10 ,  H01L 31/08 ,  H01L 31/10 ,  H01L 49/02
FI (5):
G02B 5/20 101 ,  H01L 49/02 ,  H01L 27/14 A ,  H01L 31/08 T ,  H01L 31/10 D
F-Term (46):
2H048BA02 ,  2H048BA45 ,  2H048BB02 ,  2H048BB14 ,  2H048BB41 ,  2H048BB46 ,  4M118AA01 ,  4M118AA02 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118AB04 ,  4M118AB05 ,  4M118AB10 ,  4M118BA05 ,  4M118BA07 ,  4M118CA02 ,  4M118CA14 ,  4M118CA27 ,  4M118CA34 ,  4M118CB14 ,  4M118CB20 ,  4M118FA06 ,  4M118FB09 ,  4M118GA10 ,  4M118GC07 ,  4M118GC20 ,  4M118HA26 ,  5F049MA20 ,  5F049MB08 ,  5F049NB05 ,  5F049RA02 ,  5F049SE04 ,  5F049SE05 ,  5F049TA11 ,  5F049TA13 ,  5F049WA03 ,  5F088AA11 ,  5F088AB11 ,  5F088BB03 ,  5F088EA04 ,  5F088FA04 ,  5F088FA05 ,  5F088GA02 ,  5F088JA11 ,  5F088JA13 ,  5F088LA03

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