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J-GLOBAL ID：200903010134247364

フイールドシールド分離構造の半導体装置およびその製造方法

Inventor： 橋本 正幸
Applicant, Patent owner： 株式会社エヌ・エム・ビーセミコンダクター
Agent (1)： 萼 経夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991298483
Publication number (International publication number)：1993109886
Application date： Oct. 17, 1991
Publication date： Apr. 30, 1993
Summary：

【要約】【目的】 微細な素子間隔を絶縁分離可能にする新たなフィールドシールド分離構造を有する半導体装置およびその製造方法を提供すること。【構成】 MOSFET構造を電気的に分離するフィールドシールドを有する半導体装置において、フィールドシールド電極を半導体基板の上部からMOSFETのソースまたはドレイン拡散層の底部以下の位置に渡って埋設させた構造。その製造方法は、フィールドシールド分離領域に溝を形成して、その底部をMOSFETのソースまたはドレイン拡散層の底部となるべき位置以下にまで掘り込み、前記溝の内面に絶縁膜を形成し、前記溝をフィールドシールド電極となるべき導電体で埋め込み、さらに該導電体を絶縁膜で被覆することにより前記フィールドシールド構造を形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板のMOSFET構造を電気的に分離するフィールドシールド分離構造を有する半導体装置において、フィールドシールド電極を前記半導体基板の上部から前記MOSFETのソースまたはドレイン拡散層の底部以下の位置に渡って埋設させたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/76 ,  H01L 29/784

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭62-071246
  
• 特開昭61-290753
  
• 特開昭60-250645