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J-GLOBAL ID：200903010136766075

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 中尾 圭策 ,  佐々井 洋一 ,  十代 勇治 ,  野間 淳史
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999181608
Publication number (International publication number)：2000082683
Application date： Jun. 28, 1999
Publication date： Mar. 21, 2000
Summary：

【要約】【課題】 基板上に形成された一の半導体素子と該半導体素子を覆う絶縁膜上に形成される他の半導体素子とを電気的に接続するコンタクトホールの信頼性を向上させる。【解決手段】 基板11上のトランジスタ17を覆う絶縁膜19のコンタクトホール19aには、該コンタクトホール19aの内部及び上部を残して、その壁面及びドレイン領域15上に、イリジウムからなり膜厚が0.1μm程度の下地導電膜20が形成されており、コンタクトホール19aの内部及び上部には白金からなるプラグ21が充填されて形成されている。絶縁膜19におけるコンタクトホール19a上には、下地導電膜20及びプラグ21の上端面と接するように、白金からなる下部電極25とSrBi2Ta2O9 からなる容量絶縁膜26と白金からなる上部電極27とにより構成された容量素子28が形成されている。

Claim (excerpt)：

半導体素子が形成された基板と、前記基板の上に、接続孔を有し前記半導体素子を覆うように形成された絶縁膜と、前記接続孔の少なくとも下部に形成され、前記半導体素子と電気的に接続された白金族元素を含む下地導電膜と、前記接続孔の上部に形成され、白金族元素を含む導電膜とを備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (8)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/768 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (6)：

H01L 21/28 301 Z ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/90 C ,  H01L 27/10 621 Z ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371