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J-GLOBAL ID：200903010148343498
インターコネクタ付ダイオードの製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995047069
Publication number (International publication number)：1996250634
Application date： Mar. 07, 1995
Publication date： Sep. 27, 1996
Summary：
【要約】【目的】 本発明のインターコネクタ付ダイオードの製造方法は、製造工程の簡略化並びに絶縁信頼性の向上を図る。【構成】 複数個のダイオードが形成される半導体基板21の各ダイオード形成部の一端部に隣接するダイオード形成部と共有する貫通孔22を形成する工程と、該貫通孔22をエッチング液にて表面処理する工程と、前記各ダイオード形成部の所定の位置に前記半導体基板21の不純物と反対の導電型の不純物を拡散して拡散部24を設けダイオードを形成する工程と、該拡散部24の電極形成部を除くダイオード上面及び貫通孔表面に酸化膜26を同時に形成する工程と、前記拡散部24表面に表面電極部27を形成する工程と、該電極部27のインターコネクタ31との接続部分を除く表面電極部表面27及び前記酸化膜26表面に絶縁膜29を同時に形成する工程とを有してなることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
ダイオードと、該ダイオードと半導体素子間を直列方向あるいは並列方向に電気的に接続するインターコネクタとを備え、該インターコネクタは前記ダイオードの一方の電極部から該ダイオード一端側に略平行に引出されてなるインターコネクタ付ダイオードの製造方法において、複数個のダイオードが形成される半導体基板の各ダイオード形成部の一端部に貫通孔を形成する工程と、前記各ダイオード形成部の所定の位置に前記半導体基板の不純物と反対の導電型の不純物を拡散して拡散部を設けダイオードを形成する工程と、該拡散部の電極形成部を除くダイオード上面及び貫通孔表面に酸化膜を同時に形成する工程と、前記拡散部表面に電極部を形成する工程と、該電極部の上記インターコネクタとの接続部分を除く電極部表面及び前記酸化膜表面に絶縁膜を同時に形成する工程とを有してなることを特徴とするインターコネクタ付ダイオードの製造方法。
IPC (4)：
H01L 23/48
, H01L 21/306
, H01L 21/316
, H01L 29/861
H01L 23/48 V
, H01L 21/316 A
, H01L 21/306 A
, H01L 29/91 Z
