Pat

J-GLOBAL ID：200903010151658815

半導体ディスク装置

Inventor： 宮内 成典
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 曾我 道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995014030
Publication number (International publication number)：1996212019
Application date： Jan. 31, 1995
Publication date： Aug. 20, 1996
Summary：

【要約】【構成】 論理消去ブロック番号格納領域と、データを格納する複数のデータ格納領域と、前記データ格納領域にデータが格納されているか否かを表すデータ状態フラグを格納する前記データ格納領域毎のデータ状態フラグ領域と、更新先の場所を表す連鎖情報を格納する前記データ格納領域毎の更新データ連鎖情報格納領域とから構成される消去ブロックを複数有するフラッシュメモリ8Aと、論理セクタアドレスを論理消去ブロック番号とそのオフセット値に変換し、この変換した論理消去ブロック番号とそのオフセット値に基づいて前記フラッシュメモリ8A上の該当消去ブロック及び該当データ格納領域を捜し出し、該当更新データ連鎖情報格納領域に連鎖情報が存在しなければ前記該当データ格納領域の内容を読み出すCPU4とを備える。【効果】 データ管理用のアドレス変換テーブルが不要となり、その分データエリアを大きくできる。

Claim (excerpt)：

論理消去ブロック番号を格納する論理消去ブロック番号格納領域と、データを格納する複数のデータ格納領域と、前記データ格納領域にデータが格納されているか否かを表すデータ状態フラグを格納する前記データ格納領域毎のデータ状態フラグ領域と、更新先の場所を表す連鎖情報を格納する前記データ格納領域毎の更新データ連鎖情報格納領域とから構成される消去ブロックを複数有するフラッシュメモリ、並びに前記論理消去ブロック番号、前記データ状態フラグ、及び前記連鎖情報に基づいて前記フラッシュメモリ上のデータを管理するCPUを備えたことを特徴とする半導体ディスク装置。

IPC (2)：

G06F 3/08 ,  G11C 16/06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• メモリ制御装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-029937   Applicant：沖電気工業株式会社