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J-GLOBAL ID：200903010159345484

プラズマ処理装置用電極及びプラズマ処理装置

Inventor： 石井 誠 ,  鎌田 充志
Applicant, Patent owner： 日立化成工業株式会社
Agent (1)： 高田 幸彦 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998019189
Publication number (International publication number)：1999219935
Application date： Jan. 30, 1998
Publication date： Aug. 10, 1999
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】プラズマ処理中の異物粒子の発生を抑え、シリコンウエハのプラズマエッチング等の処理不良を防止できるプラズマ処理装置用電極を提供する。【解決手段】平行平板型プラズマ処理装置の上部電極2であって、ガス吹き出し穴7が設けられている円板状の電極本体6と、電極本体を支持する絶縁性のシールドリング9を有してなり、電極本体は単結晶シリコンまたは多結晶シリコンからなり、電極本体の外径寸法は被エッチング材であるシリコンウエハ4の外径以上で20mmを超えない範囲であり、シールドリングは電極本体を嵌合支持できるよう内周部に段形状を設けた構造であり、シールドリングはそのプラズマ発生側が電極本体より3mmを超えて突出しないものとした。

Claim (excerpt)：

平行平板型プラズマ処理装置の上部電極であって、ガス吹き出し穴が設けられている円板状の電極本体と、該電極本体を支持する絶縁性のシールドリングを有してなり、該電極本体は単結晶シリコンまたは多結晶シリコンからなり、該電極本体の外径寸法は被エッチング材であるシリコンウエハの外径以上で20mmを超えない範囲であり、前記シールドリングは前記電極本体を嵌合支持できるよう内周部に段形状を設けた構造であり、該シールドリングはそのプラズマ発生側が該電極本体より3mmを超えて突出しないものとしたことを特徴とするプラズマ処理装置用電極。

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46

FI (3)：

H01L 21/302 C ,  C23F 4/00 A ,  H05H 1/46 M