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J-GLOBAL ID：200903010178655800
半導体レーザ素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991181330
Publication number (International publication number)：1993029713
Application date： Jul. 22, 1991
Publication date： Feb. 05, 1993
Summary：
【要約】【目的】 半導体レーザ素子における無効電流を大幅に低減させる。【構成】 第1導電型の半導体基板10上に,第1導電型の第1半導体層15と,活性層16と,第2導電型の第2半導体層17とを含む積層構造が設けられている。半導体基板10上には,(n11)A面(n≧1の整数)を傾斜面11とするストライプ状順メサ12が形成され,そのリッジ頭部を除いた全面に第2導電型の電流阻止層13が形成されている。第2半導体層17には不純物としてIV族両性元素が添加されているので,傾斜面11の上方に位置する第2半導体層17および18の傾斜部分は第1導電型の反転層20となる。反転層20および電流阻止層13が各々電子および正孔に対する狭窄機構として働く。
Claim (excerpt)：
第1導電型の半導体基板上に分子線エピタキシー法により成長させたIII-V族化合物半導体からなる,第1導電型の第1半導体層と,活性層と,第2導電型の第2半導体層とを含む積層構造を備えた半導体レーザ素子であって,該半導体基板上に(n11)A面(n≧1の整数)を傾斜面とするストライプ状順メサが形成され,そのリッジ頭部を除いた全面に第2導電型の電流阻止層が形成され,かつ該第2半導体層に不純物としてIV族両性元素を添加して,該傾斜面の上方に位置する該第2半導体層の傾斜部分を第1導電型の反転層とすることにより,電子および正孔の両キャリアを狭窄する機構を有する半導体レーザ素子。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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