半導体装置およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高橋詔男 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998171816
Publication number (International publication number)：2000012561
Application date： Jun. 18, 1998
Publication date： Jan. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】同一の半導体基板上に異なる半導体装置を形成する際に生じる時間の浪費・コストの増大を抑え、高精度な半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板101上に、第1から第N(Nは2以上の整数)までのエッチング停止層と第1から第Nまでのエッチング層とが交互に堆積され、この積層構造の最上層である第Nエッチング層には、最下段の表面が第Nエッチング停止層に到達するように表面の高さが異なる第1領域から第N領域までの各領域が形成され、第1領域から第N領域までには、各領域に対応する第1から第Nまでの開口部が形成され、これらの各開口部は、それぞれ第1から第Nまでの各エッチング停止層が露出する深さまでエッチングされて露出した各エッチング停止層上にコンタクトするように電極が形成されている。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、第1から第N(Nは2以上の整数)までのN層のエッチング停止層とこれらの各エッチング停止層によってエッチングが停止されるように第1から第Nまでのエッチング層とが交互に堆積された積層構造を形成する工程と、該積層構造の最上層である第Nエッチング層をエッチングして、表面の高さが低い順にそれぞれ第1から第N領域までの領域を、その最下段の前記第1領域が第Nエッチング停止層上に到達するように形成する工程と、前記第1領域から第N領域までの各領域に、それぞれの領域に対応する第1から第Nまでの開口部を形成する工程と、前記第1開口部の第Nエッチング停止層を選択的にエッチングする工程と、該第1開口部内の第N-1エッチング層をエッチングして第N-1エッチング停止層に到達させるとともに、第2開口部内の第Nエッチング層をエッチングして第Nエッチング停止層に到達させる工程と、前記第1開口部内の第N-1エッチング停止層と前記第2開口部内の第Nエッチング停止層を選択的にエッチングする工程と、前記第1開口部内の第N-2エッチング層と前記第2開口部内の第N-1エッチング層とをエッチングして、それぞれ、第N-2エッチング停止層と第N-1エッチング停止層に到達させるとともに、前記第3開口部内の第Nエッチング層をエッチングして第Nエッチング停止層に到達させる工程と、を順次繰り返し、最終的に前記第1の領域に形成された最下段の第1の開口部が、第1エッチング停止層に到達して第1の開口溝を形成し、最上段の第Nの開口部が、第Nエッチング停止層に到達して第Nの開口溝を形成するように、順次各エッチング層と各エッチング停止層とをエッチングする工程と、第1から第Nまでの各開口溝中において露出された第1から第Nまでの各エッチング停止層にコンタクトするように、それぞれの開口部内に電極を形成する工程とを具備してなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/306

FI (2)：

H01L 29/80 F , H01L 21/306 U

F-Term (28)：

5F043AA03 , 5F043BB07 , 5F043DD02 , 5F043FF01 , 5F043GG04 , 5F043GG05 , 5F102FA03 , 5F102GA02 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ05 , 5F102GK05 , 5F102GL04 , 5F102GM06 , 5F102GN05 , 5F102GQ01 , 5F102GR04 , 5F102GR10 , 5F102GS04 , 5F102GT03 , 5F102GV07 , 5F102HC01 , 5F102HC07 , 5F102HC10 , 5F102HC11 , 5F102HC15 , 5F102HC21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

特開昭60-231368

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