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J-GLOBAL ID：200903010188094245

金属酸化物トランジスタの製造方法

Inventor： 小川 芳孝 ,  高橋 康隆 ,  大矢 豊 ,  伴 隆幸
Applicant, Patent owner： 株式会社三陽電機製作所
Agent (1)： 草野 卓 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000057440
Publication number (International publication number)：2001244464
Application date： Mar. 02, 2000
Publication date： Sep. 07, 2001
Summary：

【要約】【課題】 金属酸化物半導体を用いてFETを作製する。【解決手段】 Si基板31上にSiO2 膜のゲート絶縁膜32を形成し、Zn(OAc)2 ・4H2 Oをイソプロパノールに懸濁し、これをゲート絶縁膜32上にコーティングした後、加熱処理してZnOからなるチャネル層33を形成し、その上にソース電極34とドレイン電極35を形成する。

Claim (excerpt)：

基板上にゲート絶縁膜を形成し、そのゲート絶縁膜上にn形又はp形金属酸化物半導体薄膜を溶液法で作ってチャネル層を形成し、そのチャネル層上にソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする金属酸化物トランジスタの製造方法。

F-Term (9)：

5F110DD01 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110GG01 ,  5F110GG04 ,  5F110GG25