Pat
J-GLOBAL ID：200903010191777531
半導体光素子とその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
中村 純之助 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997218739
Publication number (International publication number)：1999068238
Application date： Aug. 13, 1997
Publication date： Mar. 09, 1999
Summary：
【要約】【課題】本発明の目的は、周囲温度の変動に対して、より安定な半導体発光素子、半導体受光素子および半導体導波路素子等の半導体光素子構造、および半導体発光素子の作製が容易で安価な製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板上に、この基板とは異なる半導体からなる活性領域もしくは導波領域を備えた半導体光素子の活性領域もしくは導波領域の少なくとも一部が、少なくとも2種類のIII-V族半導体もしくはその混晶の薄膜を構成単位とした短周期超格子から成り、かつIII-V族半導体もしくはその混晶の薄膜のうち、格子定数の最も大きいIII-V族半導体もしくはその混晶の薄膜に、ビスマスもしくはタリウムを含有して成る構造の半導体発光素子、受光素子または光導波路素子等の半導体光素子およびその製造方法とする。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に、該基板とは異なる半導体からなる活性領域もしくは導波領域を備えた半導体光素子において、上記活性領域もしくは導波領域の少なくとも一部が、少なくとも2種類のIII-V族半導体もしくはその混晶の薄膜を構成単位とした短周期超格子からなり、かつ上記III-V族半導体もしくはその混晶の薄膜のうち、格子定数の最も大きい該III-V族半導体もしくはその混晶の薄膜に、ビスマスもしくはタリウムを含有してなることを特徴とする半導体発光素子、受光素子または光導波路素子等の半導体光素子。
IPC (2)：
FI (2)：
Return to Previous Page
